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济南晶正电子科技有限公司

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NANOLN


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展台信息
创店时间:
2017-06-29
所 在 地:
山东省 济南市 历城区
产品数量:
10件产品
展台收藏:
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认证信息:
实体展台认证

 

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含电极铌酸锂单晶薄膜/带电极铌酸锂单晶薄膜
价  格:0 元起
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产品标签: 材料与器件,光学材料,铌酸锂单晶薄膜,含电极铌酸锂单晶薄膜,含上电极铌酸锂单晶薄膜,含白金电极铌酸锂单晶薄膜
产品描述: 二氧化硅层与铌酸锂单晶薄膜间有一层电极(金、铂金、其他金属或 透明电极)。在铌酸锂单晶薄膜表面加一层顶电极后,可在顶电极与此 电极间的铌酸锂单晶薄膜施加电场。基于压电效应、铁电畴开关效应或热电效应,此结构可用于开发表面波器件、存储器、传感器,比如 高频率、宽带宽的 RF 滤波器;高速、低耗的铁电存储器,及高灵敏度红外探测器。
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  • 品牌:NANOLN

含电极铌酸锂单晶薄膜()


二氧化硅层与铌酸锂单晶薄膜间有一层电极(金、铂金、其他金属或 透明电极)。在铌酸锂单晶薄膜表面加一层顶电极后,可在顶电极与此 电极间的铌酸锂单晶薄膜施加电场。基于压电效应、铁电畴开关效应或热电效应,此结构可用于开发表面波器件、存储器、传感器,比如 高频率、宽带宽的 RF 滤波器;高速、低耗的铁电存储器,及高灵敏度红外探测器。


技术参数

 


产品应用

晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的优秀物理性质, 直径为3英寸, 上层铌酸锂单晶薄膜厚度为0.3-0.7微米, 中层为约2微米厚的二氧化硅, 最下层为0.5毫米厚的铌酸锂晶片衬底。作为产业链的基础材料, 该产品主要应用于以下领域:

光纤通讯, 例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上, 集成度大幅提高, 响应频带宽, 功耗低, 性能更加稳定, 制造成本降低。

信息存储领域, 可实现高密度信息存储。

电子学器件, 比如高质量滤波器、延迟线等。

红外探测领域, 比如高灵敏度红外探测器。

 

尺寸:

3inch

厚度:

300-700 nm

切向:

Z cut

  

具体应用如下:

滤波器

电光调制器

探测器

光波导

传感器

压电换能器

太赫兹波生成

超高速光开关

高密度数据存储

相控阵雷达

电光棱镜扫描仪

光纤陀螺仪

高功率微波器件

旁路电容

 

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