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欧唐科技

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opturn


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产品质量:
5分
服务态度:
5分
售后服务:
5分
展台信息
创店时间:
2014-11-21
所 在 地:
北京 北京市 海淀区
产品数量:
2件产品
展台收藏:
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认证信息:
实名认证 实体展台认证

 

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scia Systems 镀膜机设备
价  格:100万欧元 元起
交货周期:待定
产品库存:1
评  价:
5分0条评论
1774次浏览
产品标签: 制造设备,光学制造设备,离子束溅射设备
产品描述: scia Systems 成立于2013年,提供先进的微电子和精密光学元件加工领域的离子束和等离子技术。Scia Systems具有特有的设备集成方法,并采用先进的离子源与创新的样品加工过程运动控制,可以完成客户极为苛刻的技术要求及方案。
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  • 品牌:scia

scia Systems

德国scia Systems 公司由德国VON ARDENNE 完全控股,并以客户需求为导向,为全球研发并提供太阳能光伏、薄膜沉积、微工艺制造及光学产业领域的设备及解决方案。其核心人员均在本行业从事研发工作超过20 年,曾经为ZeissAsphericonESO(欧洲南方天文台), 夫琅禾费研究所等世界知名的光学公司或研究项目提供设备。公司在离子束薄膜沉积、等离子体薄膜沉积、高精密离子束加工方面都具有极高的成就,使其所提供的设备及方案大多以超高精尖的光学加工、光学薄膜沉积(X 射线,EUVL 等)为主,解决客户遇到的极其复杂的难题。

等离子体源及离子源

微波等离子体源 RF射频等离子体源 电容耦合等离子源

考夫曼型离子源 RF射频离子源 微波ECR离子源

RF37-i 离子源参数

法兰尺寸:DN 100 CF RF37-e 内部安装RF37-i

真空线缆长度:800 mm

离子源尺寸 :直径:101 mm 长度: 232 mm

离子源出射口径 :ф37 mm

放电腔材料 :Al2O3 , 99.7% purity

栅网材料 :石墨 钼

激发原理 :ICP Plasma, 13.56 MHz

工作压强 :8 x 10-5 mbar 8 x 10-4 mbar

气体流量 :3 6 sccm

最大离子束流 :80 mA ( 25 mA/cm2 )

离子束直径 (FWHM) 716 mm FWHM

亦可根据需求提供条形离子源

双离子束溅射薄膜沉积系统(DIBSscia Coat 500

基底尺寸 :直径 200 mm load-lock 自动装载 300 x 530 mm 手动装载

离子源类型 :条形微波源 ECR-source

中和器 :离子桥中和 N-DC

靶材夹具 : 6 种靶材转鼓 ( 可倾斜),400 x 200 mm2

参考沉积速率(Si : 10 nm/min

机械运动装置 : 样品直线运动速率0.01mm/ min 15mm/min

样品转动角速度 300 rpm

薄膜沉积均匀性 : 直径 200 mm 尺寸 ≤ 1 %

300 x 530 mm2 尺寸 ≤ 2 %

基准真空 : 5 x 10-8 mbar

设备尺寸(WxDxH) : 4.36 m x 3.96 m x 2.20 m

设备配置 : 1 工艺真空仓, 1 load-lock (可选)

软件接口 : SECS II / GEM, OPC

磁控溅射系统(MSscia Magna 200

基底尺寸 : 200 mm

样品夹具 : 水冷, 旋转速率20 rpm,氦背向接触冷却RF 偏压

溅射源类型 : 双圈磁控管 DRM 400 (夫琅禾费FEP研究所提供)

溅射方式 : DC, RF, 单相& 双相脉冲形式

参考沉积速率: SiO2: 5 nm/s , Al2O3 3nm/s

金属材料:1525 nm/s

薄膜沉积均匀性 : 200 mm 直径尺寸 < 0.5 % (1 sigma)

基准真空 : < 1 x 10-6 mbar

设备尺寸(W x D x H): 2.60 m x 2.00 m x 2.20 m

设备配置 : 单基片 load-lock, 小窗口盒式装载, 可随意更换或加载模块

软件接口 : SECS II / GEM, OPC

离子束刻蚀系统(IBEscia Mill 150

scia Mill 150 不但可以用于惰性气体离子束刻蚀(IBE),还

可以应用于反应离子束刻蚀(RIBE)以及化学辅助离子束刻蚀

CAIBE)。适合实验室研究及小批量产品加工。

技术参数

基底尺寸 :直径150 mm

样品夹具 :水冷, 氦背向接触冷却

离子源类型 :条形微波源ECR-source

中和器 :离子桥中和N-3DC

参考刻蚀速率 SiO2 : ≥ 12 nm/min

机械运动装置 :样品旋转速率 5 20 rpm

在线倾斜装置 0°到 90° , 0.1° 精度步进

基准真空 :< 1x 10-6 mbar

设备尺寸(WxDxH) 1.20 m x 2.80 m x 2.10 m( 含电子柜及真空泵)

设备配置 :1 工艺真空仓, 1 load-lock 可选

软件接口 :SECS II / GEM

离子束加工系统(IBTscia Trim 200

晶片直径 :100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm

样品台 :氦冷却背板,样品边缘机械承载

离子源  :RF37-i

中和器 :热灯丝N-Fil RF 离子中和桥 N-RF

参考去除速率 :SiO23.8 x 10-3 mm3/s

机械轴运动性能 :最大速率0.5 m/s, 最大加速度 15 m/s2

表面修正平整度 : < 0.5 nm RMS

基准真空 :< 1x 10-6 mbar

系统尺寸 (W x D x H) 1.40 m x 2.80 m x 2.20 m

设备配置:1 工艺真空仓, 1 load-lock

2 工艺真空仓, 1 load-lock

2 工艺真空仓, 2 load-locks

软件接口 :SECS II / GEM

更多详细资料点击下面链接,咨询电话:010-62527843

http://www.opturn.com/productsplist.asp?pid=173

材料

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