-适用于半导体用薄膜（Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, ZnO ……）

-CIGS太阳能电池无镉缓冲层沉积

-晶硅太阳能电池表面钝化层沉积

-硅基WVTR(水蒸气透过率)的阻挡层

-Micro-OLED封装层

-柔性衬底用阻挡层

-OLED封装层

-柔性OLED显示器、柔性OLED照明、量子点、钙钛矿LED、柔性太阳能电池等高水分阻隔膜的卷对卷（R2R)ALD工艺：

-可用于 LTPO TFT IGZO薄膜沉积

特点：

1.ALD高k介质,厚度均匀性好，保形步进覆盖。

2.先进的工艺套件和小体积的短周期室

3.实现了ALD机构(行波法)

4.小脚印全集成工艺模块

5.过程控制方便，供气线路长度小。