路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。硅基单片集成 7bit 可调光延时器芯片
Single-chip Integrated 7 Bit Optical Delay Chip
〖简介Introduction〗
梓冠光电的单片集成多比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。
〖特性Features〗
n 高速切换
High speed switching
n 高延时精度
High delay accuracy
n 超小尺寸
Ultra-small size
n 超宽带工作
Ultra-broadband operation
n 全固态波导芯片可靠性强
All solid-state waveguide chip of high
〖应用Applications〗
n 光控相控阵雷达系统、电子对抗系统
Optically controlled phased array radar system、Electronic warfare system(EWS)
性能指标 Parameter | 单位 Unit | 典型值 Typical value | 备注 Notes |
延时位数 Delay bits | / | 7 | 可定制 Can be customized |
最小延时步进 Min.step-delay | ps | 2 | 可定制 Can be customized |
可调节最大延时量 Adjustable max.delay | ps | 254 | |
延时偏差 Delay deviation | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
延时切换时间 Delay switching time | µs | ≤1 | |
插入损耗 Insertion loss | dB | 14 | |
各延时态损耗差异 Delay state loss difference | dB | ±0.5 | |
回波损耗 Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸 Chip dimension | mm | 19×11×0.7 |