出纤功率

P0

mw

10

阈值电流

Ith

mA

5

12

20

工作电压

Vo

V

1.5

2

线宽

Lw

Mhz

3

中心波长

λc

nm

1550

波长随温度变化漂移系数

Δλ/T

nm

0.1

波长随电流变化漂移系数

Δλ/I

Nm

0.01

背光监视电流

Im  

mA

0.1

2

背光探测器暗电流

Id

nA

10

边模抑制比

SMSR

Db

35

隔离度(可定制不带隔离器)

ISO

Db

35

芯片工作温度

T

℃

25

热敏电阻@25℃

R

KΩ

10