Thorlabs DET10A2 - 硅探测器

硅偏压探测器：200 - 1100 nm

Item #a	Housing Features	Active Area	Wavelength Range	Rise Timeb,c,d	Bandwidth	Noise-Equivalent Power (NEP) (Typ.)	Dark Currente	Junction Capacitance	Bias Voltage	Responsivity Dataf (Click Here for Raw Data)
DET10A2		0.8 mm2 (Ø1.0 mm)g	200 - 1100 nmh	1 ns (Typ.)	350 MHzi	5.0 x 10-14 W/Hz1/2	0.3 nA (Typ.) 2.5 nA (Max)	6 pF (Typ.)	10 V
DET100A2		75.4 mm2 (Ø9.8 mm)	320 - 1100 nm	35 nsj (Typ.)	10 MHzk	2.4 x 10-14 W/Hz1/2	0.9 nA (Typ.) 10 nA (Max)	150 pF (Typ.)	10 V
DET36A2		13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)g	350 - 1100 nm	14 nsj (Typ.)	25 MHzk	1.6 x 10-14 W/Hz1/2	0.35 nA (Typ.) 6.0 nA (Max)	40 pF (Typ.)	10 V

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• 使用指定的10.0 V偏压测量。

• 电池电压低会导致上升时间较缓，并降低带宽。

• 针对50 Ω的负载

• 1 MΩ的负载下测量

• 如要需要与波长相关的平坦化响应曲线，请看我们用于硅光电二极管和探测器的平坦化响应滤光片。

• 探测器有源区与外壳前部齐平，因此不兼容下面提供的S120-FC、S120-FC2和S120-25光纤转接件。

• 如果长期使用紫外光，产品性能可能会退化。例如，产品的紫外响应可能会降低，暗电流可能会增加。而性能退化的程度取决于辐射水平、强度和使用时间等因素。

• 计算值；基于典型的上升时间和50 Ω的负载

• 指定在632 nm下。光电二极管在近红外波段会比较慢。

• 计算值；基于632 nm的典型上升时间和50 Ω的负载。带宽在近红外波长下会降低。