产品介绍:
产品描述:
上海瀚宇提供的NIR-LN系列LiNbO3强度和相位调制器特别针对1064nm和近红外波长设计，为工作在近红外波段的用户提供LiNbO3外调制器带来的出******能：高速，高消光比，相位控制，可靠性。
凭借Photline公司特有的制作工艺，NIR-LN系列调制器即使在数十毫瓦量级的输入光功率的情况下能够稳定可靠的工作。
应用领域:
• 脉冲产生，脉冲整形，脉冲拾取
• 激光雷达传感
可选项：
• 内置监控光电探测器
• 输入输出光纤可选
• 低带宽/高带宽
可配置的附件：
• 优化设计的外置RF驱动器：DR-GA系列
• 偏置控制器 MBC-1000
产品特点:
• 质子交换波导处理-高非线性效应功率阈值，高光折变效应功率阈值
• 高消光比：30dB (强度调制器)
• 低驱动电压，低插入损耗
• 单驱动结构-容易使用
• 偏置电极和RF输入分离（强度调制器）
• 高功率处理能力：100mW@1064nm
• 高电光带宽（10GHz或更高）
技术指标: （所有指标测试波长为1064nm）
参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
型号 | NIR-MX-LN-10 | |||
V∏DC直流电极 | V | 5.0 | 6.0 | |
S11回波损耗 | dB | ≤-8 | ||
NIR-MX-LN-10电光带宽S21@-3dB | GHz | 10 | 12 | |
NIR-MX-LN-10 VpRF电极@50kHz | V | 4.0 | 4.5 | |
NIR-MX-LN-10 VpRF电极@10GHz | V | 5.5 | 6.5 | |
电回损S110-High cut-off电光带宽 | dB | -12 | -10 | |
抖动 | dB | 0.5 | 1 | |
输入阻抗射频连接器 | W | 40 | ||
输入阻抗直流连接器 | W | >1M | ||
内置光电探测器灵敏度（和输入功率有关）（参见说明） | A/W | 0.015 | 0.025 | 0.035 |
晶体：Lithium Niobate | . | X-cut Y-propagation | ||
波导制作（waveguide process） | 质子交换Proton exchange | |||
插入损耗 | dB | 5.0 | 5.5 | |
光回波损耗 | dB | ≤-40 | ||
工作波长 | nm | 980 | 1064 | 1150 |
直流（DC）消光比 | dB | 30 | 31 | |
内置光电探测器消光比（参见说明） | dB | 3 | 6 | |
输入光纤 | Panda保偏光纤1.5米长，900um | |||
输出光纤 | Panda保偏光纤1.5米长，900um | |||
输入RF连接器 | Wiltron Female K | |||
DC连接器 | Pin feed-through直径：1.0mm | |||
光电二极管输出连接器（选用时） | Pin feed-through直径：1.0mm | |||
封装尺寸 | mm | 100 x15 x9.5 | ||
工作温度 | ℃ | 10 ~ +65 | ||
存储温度 | ℃ | -40 ~ +85 | ||
DC输入最大电压 | V | ±20 | ||
最大RF输入功率 | dBm | +28 | ||
最大输入光功率 | mW | 100 | ||
说明： 当选用内置光电探测器时的指标。
订货信息:
NIR-MX-LN-BW-XX-Y-Z-AB-CD
BW：电光带宽
XX: 00 无内置光电探测器；PD内置光电探测器
Y：输入光纤；P代表偏振保持光纤；S代表单模光纤
Z：输出光纤；P代表偏振保持光纤；S代表单模光纤
AB：输入光纤连接器 00代表裸光纤；FA代表FC/APC；FC代表FC/SPC
CD：输出光纤连接器 00代表裸光纤；FA代表FC/APC；FC代表FC/SPC