主要用于非晶硅太阳能电池的研究和制作
能在真空环境下连续处理多种CVD工艺过程
团簇型多室CVD沉积系统
Cluster Multi-chamber CVD Deposition System
技术参数Parameter | |||
真空室尺寸 Vacuum chamber size | 主真空室尺寸:Server chamber | Φ760×270mm | |
工作真空室尺寸: Workstation chamber | PECVD室 | 250×250×300mm | |
VHFCVD室 | 510×250×300mm | ||
HWCVD室 | 550×250×300mm | ||
进出片室尺寸;Loading chamber | 250×286×300mm | ||
主真空室工位数: Server position of server chamber | 6 | ||
工作真空室数: Number of Workstation chamber | 5 | ||
真空系统 Vacuum system | 传输室:Server chamber | F150+D30C | |
工作真空室: Workstation chamber | F100+D30C | ||
进出片室:Loading chamber | D30C | ||
极限压力 Ultimate pressure | 传输室:Server chamber | 5×10-4Pa | |
工作真空室: Workstation chamber | 5×10-5Pa | ||
进出片室:Loading chamber | 5×10-1Pa | ||
工件尺寸 Substrate size | 工件最大尺寸: Maximum diameter | 100×100mm | |
工件最大重量:Maximum weight | 2kg | ||
最大同时处理数量: Maximum loading capacity | 4 | ||
操作 Operation | 全自动+计算机流程控制 Fully automatic computer control | PLC控制 PLC control | |
气路控制系统 Gas system | 全套进口件气路 16路进口流量计 进口变通导阀门 9路气体(N2、Ar、SiH4、NH3、NOX、TMB、B2H6、CH4、CO2) Imported gas path,16-ways imported MFC,imported alterable valve 9 routes (N2、Ar、SiH4、NH3、NOX、TMB、B2H6、CH4、CO2 ) |