磷酸二氘钾（DKDP）晶体由于其拥有优越的紫外透过，高损伤阈值，双折射系数高等特性，被广泛的应用工业用途。这种晶体常被用于Nd：YAG激光器的二、三、四倍频器件（室温条件下）。另外，它们也具有光电系数高的特点，故常被用于制作Q开关。
参数 | 数值 |
重氢含量 | >98% |
λ/4电压 | <3.4kv@1064nm |
抗损伤阈值 | >400mw/cm2 |
消光比 | >1000：1 |
电容 | 7~10pf@1KHz |
角度公差 | Δθ<±0.3O，ΔΦ<±0.3O |
剩余反射率 | R<0.1%@1064nm |
尺寸公差 | ±0.1mm |
平面度 | λ/8@632.8nm |
有效光圈 | >98% |
Q开关规尺寸：
通光孔径 | Φ8mm（端面引线） | Φ8mm（侧面引线） | Φ10mm（端面引线） | Φ10mm（侧面引线） | Φ12mm（端面引线） | Φ12mm（侧面引线） |
外径尺寸 | Φ20x29mm | Φ20x25mm | Φ30x20mm | Φ28x33mm | Φ30x40mm | Φ28x33mm |
Φ32x40mm | Φ32x40mm | |||||
透过率@1064nm | >98% | >98% | >98% | >98% | >98% | >98% |
波前畸变 | <λ/8 | <λ/8 | <λ/8 | <λ/8 | <λ/8 | <λ/8 |
消光比 | >1200:1 | >1500:1 | >1200:1 | >1500:1 | >1200:1 | >1500:1 |
λ/4电压 | 3400v | 3400v | 3400v | 3400v | 3400v | 3400v |
电容值 | <10pF | <6pF | <10pF | <6pF | <10pF | <6pF |