特点:

应用:

ETSys-Map-PV适合于高精度要求的薄膜太阳电池研发和质量控制。

ETSys-Map-PV可用于测量大面积的薄膜太阳电池样品上单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k;

ETSys-Map-PV可用于测量块状材料的折射率n及消光系数k;

ETSys-Map-PV可应用于:

技术指标:

项目

技术指标

系统型号

ETSys-Map-PV

结构类型

在线式

激光波长

632.8nm (He-Ne laser)

膜厚测量重复性1

0.05nm (对于Si基底上100nmSiO2膜层)

折射率n精度1

5x10-4 (对于Si基底上100nmSiO2膜层)

结构

PSCA

激光光束直径

~1 mm

入射角度

60°-75°可选

样品放置

放置方式:水平

运动:X轴单方向运动

运动范围:>1.4m

三维平移调节

二维俯仰调节

可对样品进行扫描测量

样品台尺寸

1.4m*1.1m,并可定制。

测量速度

典型0.6s-4s /点(取决于样品种类及测量设置)

最大的膜层厚度测量范围

光滑平面样品:透明薄膜可达4000nm,吸收薄膜与材料性质相关

选配件

样品监视系统

自动样品上片系统

注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。

性能保证

可选配件: