提供采用热氧化方法在单面抛光硅片表面上生长了厚度约100nm的SiO2薄膜标片，并可提供SiO2纳米薄膜的准确厚度值（采用椭偏方法测定，厚度精度可达到0.05nm）。可用于纳米膜厚测量仪器的标准片或参考片，也可用于加工复杂二维分布纳米模式patten样品的基片。
热氧化SiO2层的Si片参数 | |
SiO2层厚度 | 100nm左右（可提供准确厚度值，精度达0.05nm） |
标准片尺寸 | 直径4英寸，厚度0.5mm |
硅基底的物理性质 | |
晶体方向 | <100>± 0.5o |
掺杂物质 | 掺P |
类型 | N |
电阻率（欧姆*厘米） | <0.1 |
单晶位错密度EPD (cm-2 ) | ≤ 100 |
氧含量( /cm3 ) | ≤ 1.8 x1018 |
碳含量( /cm3 ) | ≤ 5x1016
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