采用PECVD方法在单抛硅片表面上生长了厚度约80nm的Si3N4纳米薄膜标片，并提供Si3N4膜层的准确厚度和折射率n（采用椭偏方法测定，厚度精度0.05nm，折射率精度0.0005）。可用于纳米膜厚测量仪器的标准片或参考片，也可用于加工复杂二维分布纳米模式patten样品的基片。
Si3N4/Si参数 | |
Si3N4膜层厚度 | 80nm左右（可提供准确厚度值，精度达0.05nm） |
Si3N4膜层折射率n | 2.0（@633nm，可提供准确值，精度达0.0005） |
标准片尺寸 | 直径4英寸，厚度0.5mm |
硅基底的物理性质 | |
晶体方向 | <100>± 0.5o |
掺杂物质 | 掺P |
类型 | N |
电阻率（欧姆*厘米） | <0.1 |
单晶位错密度EPD (cm-2) | ≤ 100 |
氧含量( /cm3 ) | ≤ 1.8 x1018 |
碳含量( /cm3 ) | ≤ 5x1016
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