产品名称:532nm集成封装激光二极管

产品型号:532PD50-TO56

产品规格:50mW


【峰值波长】:532±1nm
【输出功率】:50mW
【工作电压】:典型值1.8V
【工作电流】:典型值130
【尺 寸】:Φ5.6mm
【封装方式】:金属封装TO-56
【工作温度】:-20℃~+45℃


丹东依镭社电子科技有限公司研发量产的532nm集成封装激光二极管,采用自动化筛选、自动化封装,是高度集中一体式直接绿激光的最新产品。
依镭社532nm集成封装激光二极内置脉冲和直流两种运转模式;宽温-20℃~+45℃下正常工作,突破了激光元器件低温运行的世界性技术难题,产品满足不同情况下的需求。
20mW、30mW、50mW功率的依镭社532nm集成封装激光二极管自动化量产供应市场。目前532nm集成封装激光二极管在售规格有20mW、30mW、50mW三种功率,产品性能稳定可靠。





电学和光学特性(25℃环境测试)

参 数

符 号

最小值

典型值

最大值

环境条件

峰值波长

λ

531

532

533

nm

Po=50mW

阈值电流

Ith

ˉ

100

120

mA


工作电流

Iop

ˉ

130

320

mA

Po=50mW

工作电压

Vop

ˉ

1.8

2.1

V


电-光效率

η

0.15

0.2

0.3

mW/mA

Po=30-50mW

监测电流

Im

0.05

0.08

0.12

mA

Po=50mW,VRD=5V

平行发散角

θ//

8

10

13

deg

Po=50mW

垂直发散角

θ⊥

8

10

13

deg

平行偏移误差角度

Δθ∥

-3

0

-3

deg

垂直偏移误差角度

Δθ⊥

-3

0

-3

deg

发射点精度

ΔxΔyΔz

-100

0

+100

um


丹东依镭社电子科技有限公司隶属丹东迅镭科技有限公司,团队核心成员专注532nm激光器的研发、生产,产品应用9年,产品广泛应用于军事、工业、航天、医疗等领域。2015年5月公司针对“532nm集成封装激光二极管”项目立项,成立科技型创客公司——丹东依镭社电子科技有限公司。

依镭社创客团队以原有核心激光技术为基础,经过一年半的创新研发、产品测试及终端应用,彻底攻克了532nm半导体倍频激光器实现宽温工作的世界难题,成功将532nm半导体倍频激光器工作温度温宽提升至-20℃~+45℃范围稳定工作。同时将传统行业人工半导体倍频工艺进行产业升级,成功研制出“532nm集成封装激光二极管”智能自动化半导体倍频封装设备,实现自动化量产“532nm集成封装激光二极管”。自动化封装设备针对传统倍频生产工艺的生产效率提升40倍以上,产品功率转换效率提高30%以上,产品一致性提升至95%以上。
目前,公司已成功实现20mW、30mW、50mW功率的532nm集成封装激光二极管的自动化生产和产品供应。公司计划还将完成100mW、500mW、1W功率范围的532nm集成封装激光二极管的自动化封装及规模量产,为全球范围内532nm激光器应用端领域提供优质产品与服务。
秉承创新、合作、敬业、稳进的经营理念,依镭社将专注于532nm激光器核心器件的创新和发展,为全球范围内532nm激光器应用端客户提供“中国创造与中国智造”!
核芯才是竞争力。