产品名称:532nm集成封装激光二极管

产品规格:30mW

产品型号:532PD30-TO56


【峰值波长】:532±1nm

【输出功率】:30mW

【工作电压】:典型值1.8V

【工作电流】:典型值120

【尺 寸】:Φ5.6mm

【封装方式】:金属封装TO-56

【工作温度】:-20℃~+45


丹东依镭社电子科技有限公司研发量产的532nm集成封装激光二极管,采用自动化筛选、自动化封装生产的,是一种可直接使用的绿激光二极管。

532nm集成封装激光二极管输出功率一致性强,体积小、-20℃超宽温正常工作;窄带光谱,色纯度高,单色性强;发散角度小,低功耗节能;调制信号,高功率输出。
依镭社绿激光二极管提供应用端技术解决方案,产品通过了国际FDA和CE品质认证。



电学和光学特性(25℃环境测试)

参 数

符 号

最小值

典型值

最大值

环境条件

峰值波长

λ

531

532

533

nm

Po=30mW

阈值电流

Ith

ˉ

80

100

mA


工作电流

Iop

ˉ

120

300

mA

Po=30mW

工作电压

Vop

ˉ

1.8

2.1

V


电-光效率

η

0.15

0.2

0.3

mW/mA

Po=10-30mW

监测电流

Im

100

500

800

μA

Po=30mW,VRD=5V

平行发散角

θ//

8

10

13

deg

Po=30mW

垂直发散角

θ⊥

8

10

13

deg

平行偏移误差角度

Δθ∥

-3

0

-3

deg

垂直偏移误差角度

Δθ⊥

-3

0

-3

deg

发射点精度

ΔxΔyΔz

-100

0

+100

um