含电极铌酸锂单晶薄膜(二)
二氧化硅层与铌酸锂基底间有一层电极(金、铂金、其他金属或透明电极)。在铌酸锂单晶薄膜表面加一层顶电极后,可在顶电极与此金属电极间的铌酸锂单晶薄膜施加电场。二氧化硅层为光学绝缘层。此结构可用于开发高速度调制器,高效率 E-O 可调谐非线性光学器件及铁电存储器件。
技术参数
产品应用
晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的优秀物理性质, 直径为3英寸, 上层铌酸锂单晶薄膜厚度为0.3-0.7微米, 中层为约2微米厚的二氧化硅, 最下层为0.5毫米厚的铌酸锂晶片衬底。作为产业链的基础材料, 该产品主要应用于以下领域:
光纤通讯, 例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上, 集成度大幅提高, 响应频带宽, 功耗低, 性能更加稳定, 制造成本降低。
信息存储领域, 可实现高密度信息存储。
电子学器件, 比如高质量滤波器、延迟线等。
红外探测领域, 比如高灵敏度红外探测器。
尺寸:
3inch
厚度:
300-700 nm
切向:
X cut,Z cut
具体应用如下:
滤波器
电光调制器
探测器
光波导
传感器
压电换能器
太赫兹波生成
超高速光开关
高密度数据存储
相控阵雷达
电光棱镜扫描仪
光纤陀螺仪
高功率微波器件
旁路电容