硅上的铌酸锂

其产品结构自上而下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、硅衬底。铌酸锂单晶薄膜可集成到硅基底上，此结构可应用于集成光学，非线性光学，铁电存储器，红外探测器，传感器，微机电系统和声表面波器件。

技术参数

产品应用

晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的优秀物理性质, 直径为3英寸, 上层铌酸锂单晶薄膜厚度为0.3-0.7微米, 中层为约2微米厚的二氧化硅, 最下层为0.5毫米厚的铌酸锂晶片衬底。作为产业链的基础材料, 该产品主要应用于以下领域：

光纤通讯, 例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上, 集成度大幅提高, 响应频带宽, 功耗低, 性能更加稳定, 制造成本降低。

信息存储领域, 可实现高密度信息存储。

电子学器件, 比如高质量滤波器、延迟线等。

红外探测领域, 比如高灵敏度红外探测器。

尺寸:

3inch

厚度:

300-700 nm

切向:

X cut,Y cut,Z cut

具体应用如下:

滤波器

电光调制器

探测器

光波导

传感器

压电换能器

太赫兹波生成

超高速光开关

高密度数据存储

相控阵雷达

电光棱镜扫描仪

光纤陀螺仪

高功率微波器件

旁路电容