GaP晶体的基本参数


晶体结构 立方         a =5.4505 Å
生长方法 提拉法
密度 4.13  g/cm3
熔点 1480  oC1
热膨胀系数 5.3 x10-6  / oC
掺杂物质 掺S              不掺杂
方向 <111>or<100>     <100>or<111>
类型 N                 N
热传导率 2~8 x1017/cm3       4~ 6 x1016/cm3
电阻率W.cm ~0.03             ~0.3
EPD (cm-2 ) < 3x105            < 3x105


晶向<100>,<111>