GaP晶体的基本参数
晶体结构
立方 a =5.4505 Å
生长方法
提拉法
密度
4.13 g/cm3
熔点
1480 oC1
热膨胀系数
5.3 x10-6 / oC
掺杂物质
掺S 不掺杂
方向
<111>or<100> <100>or<111>
类型
N N
热传导率
2~8 x1017/cm3 4~ 6 x1016/cm3
电阻率W.cm
~0.03 ~0.3
EPD (cm-2 )
< 3x105 < 3x105
晶向<100>,<111>