一、RTP电光晶体


RTP（铷氧钛基磷酸盐）是一种坚固的电光晶体，适用于各种应用（如Q开关，振幅和相位调制器，脉冲选择器等）和工业，医疗和国防产品。该晶体在最常见的可见光和近红外激光波长下是透明的。它在宽温度范围（从-50°C到+70°C）和高重复率下表现良好。基于RTP的Q开关器件以匹配对配置提供，温度补偿设计。当用于诸如Q开关和幅度调制器的应用时，晶体被安装使得输入光束沿面的对角线偏振。

Features:

ü  低半波电压                             

ü  高损伤阈值

ü  非吸湿性

ü  在高重复率下的最小振铃

ü  在宽温度范围内工作



Technical Specifications:

Single Crystals 

Matched Pair

EO-Cell:

每个晶体的长度（L）：+/- 0.5mm
宽度（W）：+/- 0.05mm
垂直度：<20 arc min

平行度：<10 arc sec

划伤/挖掘：10/5 in the clear
光圈
倒角：<0.2 mm x 45°+/- 5°
电极： Ti on Z‐sides
标记： polarity of Z‐axis (+) on the

side surface
AR / AR涂层：R <0.1％
损伤阈值：> 600 MW/cm2
@ 1064nm，10ns
侧面精细<30 um

长度匹配+/- 0.002毫米
消光比：在工作波长测量的平行/交叉偏振器之间的匹配对的透射比。
V型槽中的晶体在Z轴（+）和（ - ）之间为90°。

光偏振垂直或水平
角度调节公差：1.5度
透射率：> 98.5％

电线类型：ET1828
线长：150mm 
总电容：2.0-3.0pF（晶体长度5mm）和3.0-4.0pF（晶体长度10mm）



Part Number Convention

Notes:

Ø   半波电压（HWV）为额定+/- 15％。

Ø   匹配对晶体，未安装，提供作为标准组。 只需在零件号中用M代替Q即可

Ø   标准产品有其他尺寸和交替波长。 检查与Raicol的综合列表。

Ø   标准消光比为20dB，23dB，25dB，27dB和30dB。联系Raicol了解更多详情。



二、RTP高重频电光Q开关

RTP（铷钛氧磷酸盐-RbTiOPO4）晶体材料结合了KD*P和铌酸锂的几个特性，并且具有超过两者的一个主要优点：RTP表现出几乎没有压电效应，不受压电振荡的影响，适合高重复频率应用（最大100KHz）。可以在高重复频率锁模激光脉冲提取，激光脉冲切割，斩波和门控系统以及Q开关应用中使用RTP器件。

RTP具有350nm至4300nm的有用光波长范围。在400至1100nm范围内的透射率，具有硬的“V”型高效防反射涂层为98.5％。目前，标准AR波长为1064nm和700-900nm。可提供其他波长的AR涂层。


RTP高重频电光Q开关



RTP普克尔盒和RTP电光Q开关的消光比在633nm时测得的数值是200：1，波长畸变小于1/8波长。RTP电光调制器在较宽的温度范围内表现出优异的热稳定性，RTP电光Q开关电光系数在10-50摄氏度的范围内受温度影响很小。RTP电光调制器的激光损伤阈值大约为850MW/cm2 @10ns, 1064nm.对于激光脉冲的拾取/脉冲选通应用而言，对于脉宽小于100皮秒的激光脉冲，损伤阈值大约为10GW/cm2.

Model Number

1147-4

1147-6

1147-8

Aperture Diameter, mm

3.5

5.5

7.5

Crystal Material

RTP (rubidium titanyl phosphate - RbTiOPO4)

Peak Optical Power Density Capability                              (Uniform Beam, no Hot Spots)

850 MW/cm2 for pulses <10 nsec wide             10 GW/cm2 for pulses <100 psec wide

8 Range for Peak Power Density

400-1300nanometers

Transmission

>98% from 400 nm to 1064 nm

1/2 Wave Retardation Voltage, Volts   

@ 633 nm

800

1200

1800

@ 800 nm      

1100

1650

2475

@1064nm

1600

2400

3600

Extinction Ratio, with Full Aperture Beam

>200:1 at 633 nanometers

Rise Time, picoseconds

<350

Capacitance, picofarads

<5

Weight, grams (approximate)

125