我们设计和制造各种各样的E-O调制系统，具有最高程度的激光束调制效率。这些系统提供完整的附件。这些包括宽带E-O驱动器电子、自动控制、反馈网络、极化光学和调制器，带宽高达1000 MHz。这些系统提供最广泛的选择集成驱动器和光学带宽的E-O调制器从UV（晶体BBO到200nm）到中红外（4500nm）。 BBO是用于UV的优异晶体，在可见光（300nm至1100nm）中的KD*P，和中红外区（600nm至4500nm）中的钽酸锂（LTA）。这些LTA调制器是横向器件，其中电极沿着Z施加并且光束沿着晶体的Y方向通过。量子技术
设计和制造具有BBO调制器的定制调制系统UV或特殊带宽DC至100MHz或1MHz至1000MHz。CW电源密度应限于在1064nm下为200W/cm2和在633下为约0.1W/cm2（LTA晶体）。
横向型的调制器需要具有良好的光传输，优异的介电性能，低应变，大尺寸可用性以及最终的低驱动功率的E-O晶体。 这三种E-O材料满足这些条件。 这些调制器的性能参数列于下表中。
SPECIFICATIONS:
