产品名称:852nm冷原子半导体激光器
产品描述:
产品简介:
DBR系列高功率边发射激光器基先进的单频激光技术,提供一个受衍射限制的单纵模输出,具有非常高的可靠性。780nm、795nm、852nm、895nm等波长广泛应用于铷原子及铯原子的原子光谱研究及应用。可提供多种封装形式:芯片形式、TO封装、蝶形封装等。另可提供其他多种波长产品,如760、767、770、785、808、920、976、1064、1083 nm等。
主要特点:
·窄线宽
·可提供不同类型封装
·高功率
·高斜度效率
主要应用:
·铷原子光谱研究
·原子钟
·重力计
·原子陀螺、干涉仪
参数指标
参数* | 单位 | 最小 | 标准 | 最大 |
中心波长 | nm | 778 | 780 | 782 |
输出光功率 | mW | 20, 40, 80, 120, 180 | ||
斜度效率1 | W/A | 0.25 | 0.36 | - |
斜度效率 | W/A | 0.60 | 0.75 | - |
电流阈值 | mA | - | 50 | 70 |
线宽 | MHz | - | 1 | - |
偏振消光比1 | dB | 16 | 19 | - |
输出偏振态 | - | - | TE | - |
光束发散度 (θװ X θ┴) | 0 | - | 6 X 26 | 8 X 28 |
边摸抑制比 | dB | -30 | - | - |
连续激光正向电流 | mA | - | - | 150 |
脉冲激光正向电流2 | A | - | - | 0.3 |
工作温度范围 | 0C | 5 | - | 70 |