L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包括:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数。  

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（温度可达800°C）可确保涵盖所有应用领域。永磁体和电磁铁可提供高达几特斯拉强度的固定或者可变磁场。  

样品支架位于密封的真空测量室，测量室设有进出气体口，可在受控及可变的气氛下进行测量。不同的样品支架可用于从LN2至800℃进行测量。  

可选的实际磁场强度可以在高达150℃的温度下测量。测量过程中，在滑轨上的两个磁路可以移动组装，可将磁通量从正变为零甚至为负，因此样品无需移动。  


  

   


产品规格

型号  

L79 HCS  

温度范围  

从LN2 至 800°C （不同配置）  

输入电流  

5nA 至 125 mA  

霍尔张力  

1 µV 至 2500 µV  

数字分辨率  

300 pV  

样品几何形状  

从 5 x 5 mm 至 25 x 25 mm  

高度最大 5 mm  

磁场  

Basic: 永磁铁，最高0.7 T；磁极直径90 mm
用于双极测量的两个磁铁设置。
Alt.: 电磁铁1 T (可变场)；磁极直径76mm  

电源 75A / 40V.
双极测量用电流反向开关  

传感器  

提供不同的可交换传感器配置  

电阻率范围  

10-4 至 107 (Ω/cm)  

载体密度  

107 至 1021 (1/cm3)  

迁移率  

1 至 107 (cm2/Volt sec)  

重复性/准确性  


电阻率  

± 3% (大多数材料)
± 6% (大多数材料)  

霍尔常数  

± 5% (大多数材料)  

± 6% (大多数材料)  

气氛  

真空，惰性，氧化，还原