特性：
在900nm波段范围内具有快速上升时间
在工作电压大于偏置电压时可实现低增益斜率
可有效降低偏置水平
低温度系数
活性表面直径达5毫米
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PDF: 雪崩光电二极管阵列应用说明
PDF: 处置与加工
PDF: 激光雷达用雪崩光电二极管白皮书
多元阵列
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Active elements | Quantum efficency (QE) |
| 3005259 | 16AA0.13-9 | SOJ22GL | 16 | > 80 % at 760-910 nm with NTC |
| 3001411 | 16AA0.4-9 | SOJ22GL | 16 | > 80 % at 760-910 nm |
| 3001421 | QA4000-10 | TO8Si | 4 | High QE at 850-1070 nm |
| 3001284 | QA4000-10 | TO8S | 4 | High QE at 850-1070 nm |
评估板
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Type |
| 3005542 | 16AA0.4-9 | on PCB | 16 element APD array with 4 (4) channel TIA’s Remark: Available upon request for sampling to LiDAR projects |