特性
小面积间隙
低暗电流
优良的耐腐蚀性能
高分辨率
另提供用于1064nm的特别版本
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PDF: 雪崩光电二极管应用说明
PDF: 处置与加工
10系列：近红外敏感增强型（1064nm波段）
技术规格和PDF数据图表
| Order # | Chip | Package | Quantum efficency (QE) | Dark current (nA); 10 V | Active Area Size (mm) / Area (mm²) | Rise time (ns); 850 nm, 10 V, 50 Ω |
| 3001421 | QA4000-10 | TO8Si | high QE at 850-1070 nm | 7* | ø 4 / 4×3,14 | 5 |
| 3001284 | QA4000-10 | TO8S | high QE at 850-1070 nm | 7* | ø 4 / 4×3,14 | 5 |
* per segment