· 光电二极管探头: 这些探头设计用于单色光源或近单色光源的功率测量,因为它们具有波长相关响应。这些探头根据输入光功率和波长输出电流。电流输入到跨阻放大器中,该放大器输出一个正比于输入电流的电压。
· 热功率探头: 这些热电堆探头由在超宽波长范围内光谱响应相对平坦的材料制成,它们适用于宽带光源( 例如LED和SLD)的功率测量。热功率探头的输出电压与输入光功率成正比。
· 热释电能量计探头: 我们的热释电探头通过热释电效应产生一个输出电压,适合测量脉冲光源,重复率被探测器的时间常数限制。这些探头输出与输入脉冲能量成正比的峰值电压。
1.1
光电二极管功率探头 |
Detector Type | Sensor Family | Applications | Item # | Wavelength | Energy or Power Range | Detector Type | Aperture | Response Time |
探头 | General Purpose | S120VC | 200 - 1100 nm | 50 nW - 50 mW | Si | Ø9.5 mm | <1 µsa | |
S120C | 400 - 1100 nm | 50 nW - 50 mW | Ø9.5 mm | |||||
S121C | 400 - 1100 nm | 500 nW - 500 mW | Ø9.5 mm | |||||
S122C | 700 - 1800 nm | 50 nW - 40 mW | Ge | Ø9.5 mm | ||||
| Power Measurements in | S130VC | 200 - 1100 nm | Dual Range: | Si | Ø9.5 mm | ||
S130C | 400 - 1100 nm | Dual Range: | Ø9.5 mm | |||||
S132C | 700 - 1800 nm | Dual Range: | Gi Slim | Ø9.5 mm | ||||
| Measure Power at the | S170C | 350 - 1100 nm | 10 nW - 150 mW | Si | 18 mm x 18 mm | ||
Power Measurements for | S140C | 350 - 1100 nm | 1 µW - 500 mW | Si | Ø5 mm | |||
S142C | 350 - 1100 nm | 5 µW - 5 W | Ø12 mm | |||||
S144C | 800 - 1700 nm | 100 nW - 500 mW | InGaAs | Ø5 mm | ||||
S145C | 800 - 1700 nm | 1 µW - 3 W | Ø12 mm | |||||
S146C | 900 - 1650 nm | 10 µW - 20 W | Ø12 mm | |||||
S148C | 1200 - 2500 nm | 1 µW - 1 W | Ø5 mm | |||||
S180C | 2900 - 5500 nm | 1 µW - 3 W | MCT (HgCdTe) | Ø7 mm | ||||
Fiber Power Measurements and | S150C | 350 - 1100 nm | 100 pW - 5 mW | Si | Ø5 mm | |||
S151C | 400 - 1100 nm | 1 nW - 20 mW | Ø5 mm | |||||
S154C | 800 - 1700 nm | 100 pW - 3 mW | InGaAs | Ø5 mm | ||||
S155C | 800 - 1700 nm | 1 nW - 20 mW |
a. 光电二极管探头的响应时间。使用这些探头的功率计的实际响应时间受到您的功率计表头的更新频率所限制。
1.2
热功率探头 |
Detector Type | Sensor Family | Applications | Item # | Wavelength | Energy or Power Range | Detector Type | Aperture | Response Time |
热功率探头 | General Broadband | S302C | 190 nm - 25.0 µm | 100 µW - 2 W | Stabilized Thermal | Ø12 mm | 3 sb | |
S310C | 190 nm - 25.0 µm | 10 mW - 10 W | Thermal Surface | Ø20 mm | <1 sb | |||
S314C | 190 nm - 11.0 µm | 10 mW - 40 W | Ø25 mm | |||||
S322C | 250 nm - 11.0 µm | 100 mW - 200 W | Ø25 mm | 1 sb | ||||
Power Measurements in | S305C | 190 nm - 25.0 µm | 10 mW - 5 W | Ø10 mm | <1 sb | |||
Broadband Optical Power | S401C | 190 nm - 20.6 µm | 10 µW - 1 W (3W)c | Stabilized Thermal | Ø10 mm | |||
| Measure Power at the | S175C | 300 nm - 10.6 µm | 100 µW - 2 W | Thermal Volume | 18 mm x 18 mm | <2 s | |
| Applications with | S350C | 190 nm - 1.1 µm | 10 mW - 40 W | Thermal Surface | Ø40 mm | 1 sb | |
S370C | 400 nm - 5200 nm | 10 mW - 10 W | Thermal Volume Absorber | Ø25 mm | 3 sb | |||
S470C | 250 nm - 10.6 µm | 100 µW - 5 W | Ø15 mm | <2 sb |
a. 对于热功率探头,响应时间受探头材料限制。热功率探头和功率计表头设计成在探头的单个时间常数之后就能确定入射功率。因此,相比于其它热功率探头,我们的C系列热功率探头具有相对短的响应时间。