特点：                                                  
       自主封装
       可封装InGaAs雪崩光电探测器也可封装SI雪崩光电探测器
       带尾纤输出
     应用：
        传感
        测量
        测距
        环境恶劣的工作场所
     光电特性：

参    数最小值典型值最大值
响应光谱（nm）(InGaAs光电探测器)1000
1700
响应光谱（nm）(SI光电探测器)400
1100
响应度（A/W）λ = 1300nm(InGaAs光电探测器)
8
λ = 850nm(SI光电探测器)
60
工作电压（V）InGaAs光电探测器40
　60
SI光电探测器120
　200
TEC工作电压(V)
35
TEC工作电流(A)0
2
工作温度(℃)-40
70
带宽(-3dB)(加了前置放大后)
200MHZ
封装形式
蝶形8PIN
热敏电阻类型
NTC10K/25℃
是否加前置放大
　可选择

  note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数