AgGaSe2晶体的主要应用：

• AgGaSe2晶体对中远红外激光的倍频效率高，常用于CO，CO2激光器倍频；

• AgGaSe2晶体红外区域内的混频出4.0-18.3μm；

AgGaSe2晶体常用于固态激光器中DFG、OPO、OPA等非线性变频


基本特性

 

化学式


AgGaSe2

非线性系数


d 36（10.6μm）=33pm/V

d 36（9.5μm）=（ 32± 4pm/V）

有效透过范围


0.71μm-19μm

负单轴晶


no > n e（在λ<0.804μm 时

no

> n

e）

莫氏硬度


3-3.5

吸收系数


<0.02 cm-1 @ 1.064 µm

<0.02 cm-1 @ 10.6 µm

相对介电常数

@ 25 MHz

ε11s=10.5 ε11t=12.0

热膨胀系数


||C: -8.1 x 10-6/ ° C

⊥C: +19.8 x 10-6/°C

热导率


1.0 W/M/° C

 

加工参数

 

定向精度

<+-0.1°

表面光洁度

30/20 per MIL-O-13830A

面型

λ/ 8@632.8nm for T>=1mm

通光面公差

+0 /-0.1mm

长度公差

± 0.1mm

平行度

30 ″

垂直度

10′

倒边

<0.2mm×45°

image.png

AgGaSe2 o e 过率

image.png

红外相机观测下Ag Ga Se 2内部质量