磷酸二氘钾DKDP（KD*P）晶体光学损耗低，消光比高，电光性能好，应用广泛，通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘钾晶体（DKDP）利用其纵向效应制成电光调Q开关，适合用于脉冲固体激光器中，通常应用于低重复频率条件时激光美容与激光医疗等领域，我们提供基于先进的晶体制造和涂层技术的光电Q开关，我们可以提供多种激光波长的光电Q开关，具有高透射率(T>98%)，高损伤 阈值(>500W/cm2)和高消光比(>1000:1)。

基本特性

化学式

KD2PO4

透过范围

200~2.1μm

非线性系数

d36~0.40pm/V

负单轴晶

n O>ne

密度

2.355g/cm 3

光电系数

r41~8.8pm/V r63=25pm/V

纵向半波电压

V+2.98KV（ λ=546nm ）

吸收比

0.006/cm

光学损伤阈值

1 GW/cm2