主要构成
主要由高精度对准工作台、双目分离视场立式显微镜、双目分离视场卧式显微镜、数字式摄像头、计算机成象记忆系统、多点光源(蝇眼)曝光头、PLC控制系统、气动系统、真空系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。  

 

主要功能特点
1.适用范围广
适用于φ100mm以下厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.分辨率高
采用高均匀性的多点光源(蝇眼)曝光头,非常理想的三点式自动找平机构和稳定可靠的真空密着装置,使本机的曝光分辨率大为提高。
3.套刻精度高、速度快
采用版不动片动的下置式三层导轨对准方式,使导轨自重和受力方向保持一致,自动消除间隙;承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构,使本机片对版在分离接触时漂移特小,对准精度高,对准速度快,从而提高了版的复用率和产品的成品率。
4.可靠性高
采用PLC控制、进口电磁阀和按钮、独特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件,使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、维修简便。  

 

主要技术指标  


1.曝光类型:单面;  

2.曝光面积:110×110mm;★  

3.曝光照度不均匀性:≤3%;★  

4.曝光强度:≥40mw/cm2可调;★  

5.紫外光束角:≤3˚;★  

6.紫外光中心波长:365nm、404nm、435nm可选:  

7.紫外光源寿命:≥2万小时;  

8.曝光分辨率:1μm;★  

9.曝光模式:可选择正面对准套刻曝光或反面对准套刻曝光;  

10.对准范围:X、Y粗调±3mm,细调±0.3mm;Q细调±3°;  

11.对准精度:正面1μm;反面3~5μm;★  

12.分离量;0~50μm可调;★  

13.接触-分离漂移:≤1μm;★  

14.曝光方式:密着曝光,可实现硬接触、软接触和微力接触曝光;  

15.找平方式:三点式自动找平;★  

16.显微系统:  

1)正面对准采用双视场CCD立式显微镜,总放大倍数45X~300X(物镜放大倍数1.1X~7.5X连续变倍),双物镜可调距离11mm~100mm。扫描范围:X±40mm ,Y±35mm;   

2)反面对准采用双视场CCD卧式显微镜:总放大倍数60X、120X两种(物镜放大倍数2X、4X两种),双物镜可调距离25mm~70mm  

3)两种显微镜共用一套计算机图像处理系统;  

17.掩模版尺寸:3″×3″、4″×4″、5″×5″;★  

18.基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″;★  

19.基片厚度:≤5mm;★  

20.曝光定时:0~999.9秒可调;  

21.对准方式:切斯曼对准机构。★  

22.曝光头转位:气动;  

23. 电源:单相AC220V  50HZ ,功耗≤1KW  

24.洁净空气压力:≥0.4MPa  

25.真空度:-0.07MPa~-0.09MPa  

26.尺寸: 920mm(长)×680mm(宽)×1600mm(高);  

27.重量:约170Kg。 

主要用途
主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和生产。由于本机找平机构先进,找平力小,使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光,而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光。  

 

工作方式
本机采用双面对准单面曝光方式。既可以对基片的正面进行对准曝光,又可对基片的反面相对于正面对准曝光。  

   

H94-30型双面光刻机操作简介