主要功能特点
1．曝光类型：正反面对准单面曝光；
2．曝光面积：160×160mm；★
3．曝光照度不均匀性：≤3%；★
4．曝光强度：≥30mw/cm2可调；★
5．紫外光束角：≤3˚；★
6．紫外光中心波长：365nm、404nm、435nm可选：
7．紫外光源寿命：≥2万小时；
8．曝光分辨率：1μm；
9．曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；
10．显微镜扫描范围：X：±40mm Y：±30mm；★
11．对准范围：X、Y粗调±3mm，细调±0.3mm；Q粗调±15°，细调±3°；★
12．套刻精度：1μm；★
13．分离量；0～50μm可调；★
14．接触－分离漂移：≤1μm；★
15．曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；
16．找平方式：三点式自动找平；★
17．显微系统：
1）正面对准采用双视场CCD立式显微镜，总放大倍数45X~300X（物镜放大倍数1.1X～7.5X连续变倍），双物镜可调距离11mm～100mm。扫描范围:X±40mm ，Y±35mm；
2）反面对准采用双视场CCD卧式显微镜：总放大倍数60X、120X两种（物镜放大倍数2X、4X两种）,双物镜可调距离22mm～70mm；
3）两种显微镜共用一套计算机图像处理系统；
18．掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″、6″×6″、7″×7″；★
19．基片尺寸：φ2、φ3、φ4、φ5、φ6；★
20．基片厚度：≤5 mm；
21．曝光定时：0～999.9秒可调；
22．对准方式：切斯曼对准机构。★
23．曝光头转位：气动；
24. 电源：单相AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；
25．洁净空气压力：≥0.4MPa；
26．真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；
27．尺寸： 920mm（长）×680mm（宽）×1600mm（高）；
28．重量：约180Kg。
| 主要用途 主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和 生产。由于本机找平机构先进，找平力小，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光。
|  |