低分辨率SWIR | 高分辨率SWIR | |
阵列规格 | 320（h）×256（v）砷化铟镓阵列 | 640（h）×512（v）砷化铟镓阵列 |
输入像素尺寸 | 30×30µm | 25×25µm |
输入尺寸 | 9.6×7.68mm | 16×12.8mm |
fps | 全分辨率下25fps@10MHz | 全分辨率下25fps@10MHz |
读出噪声 | 高增益模式下插值降噪为120-150e—@10MHz；在低增益模式下为380 e— | 高增益模式下插值降噪为120-150e—@10MHz；在低增益模式下为380 e— |
满阱容量 | 在高增益模式下为170,000e—；在低增益模式下为3,500,000 e— | 在高增益模式下为 39,000e—；在低增益模式下为1,900,000 e— |
输出字节 | 16-bit 动态扩展范围 | 16-bit 动态扩展范围 |
响应度 | 低增益模式下：0.7 µV/e— 高增益模式下：13.3µV/e— | 低增益模式下：1.2 µV/e— 高增益模式下：31µV/e— |
峰值QE | >70%@1100nm，>65%从1000—1600nm | >70%@1100nm，>65%@1000—1600nm |
SWIR1.7 | SWIR LR2.2扩展型 | |
阵列规格 | 320（h）×256（v）砷化铟镓阵列 | 320（h）×256（v）砷化铟镓阵列 |
输入像素尺寸 | 30×30微米 | 30×30微米 |
输入尺寸 | 9.6×7.68mm | 9.6×7.68mm |
fps | 全分辨率下25fps@10MHz | 全分辨率下25fps@10MHz |
读出噪声 | 高增益模式下插值降噪为120-150e—@10MHz；在低增益模式下为380 e— | 高增益模式下插值降噪为100-130e—@10MHz；在低增益模式下为350 e— |
满阱容量 | 在高增益模式下为150，000e—；在低增益模式下为3,500,000 e— | 在高增益模式下为170，000e—；在低增益模式下为3,500,000 e— |
输出字节 | 16-bit 动态扩展范围 | 16-bit 动态扩展范围 |
响应度 | 低增益模式下：0.7 µV/e— 高增益模式下：13.3µV/e— | 低增益模式下：0.7 µV/e— 高增益模式下：13.3µV/e— |
峰值QE | >70%@1100nm，>65%从1000—1600nm | >80%@1670nm，>70%从1400—2100nm |