阵列规格 | 640(h)×512(v)砷化铟镓阵列 |
输入像素尺寸 | 25×25µm |
输入尺寸 | 16×12.8mm |
fps | 全分辨率下25fps@10MHz |
读出噪声 | 高增益模式下插值降噪为120-150e—@10MHz;在低增益模式下为380 e— |
满阱容量 | 在高增益模式下为 39,000e—;在低增益模式下为1,900,000 e— |
输出字节 | 16-bit 动态扩展范围 |
响应度 | 低增益模式下:1.2 µV/e— 高增益模式下:31µV/e— |
峰值QE | >70%@1100nm,>65%@1000—1600nm |