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Ge PIN光电探测器

电学性能

电学参数

GEP800

旁路电阻

0.7K

反向电压(最大)

10V

暗电流(最大)

70µA

电容(典型)

450pF

带宽 -3dB, RL=50Ω

10MHz

上升时间,RL=50Ω

15ns

Case Style (标准)

TO-8

激活区直径

5mm

应用:

脉冲激光测量

FTIR

高速光谱

激光雷达仪器