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Ge雪崩光电二极管

• OTDR

• 红外传感

• 电信

• 光通信

• 短距离通信/数据通信接收器

 

Ge雪崩光电二极管的电特性@25ºC

型号

GAV30    GAV40          GAV100          单位

量子效率(峰)

72(80)      72(80)          72(80)            %最小(典型)

响应率@1300nm

.76(.84)     .76(.84)         .76(.84)       A/W最小(典型) M=1

击穿电压*

20/30/40    20/30/40         20/30/40      V最小/典型/最大

暗电流@0.9Vb

0.2(0.08)    0.2(0.10)         1.0(0.3)       µA最大(典型)

电容@20V**

0.9(0.7)     1.0(0.8)          1.8(1.6)       pF最大(典型)

倍增暗电流

8            12             100                    典型M=1

截止频率(-3dB)

2.0(2.5)      1.5(2.0)          0.6(0.9)       GHz最小(典型)

过量噪声指数

               0.95(所有大小)  BW=1MHz M=10 Iph=2µA典型

过量噪声因子

                9(所有大小)@1300nm, f=300MHz 典型

Vb的温度系数

                0.1(所有大小)   %°C

*IR=100µA  **f=1MHz

 

Ge雪崩光电二极管的物理性质

                    GAV30           GAV40         GAV100

激活区直径(µm)        30                40            100

Case Styles     TO-46(可更改的)/TO-46 SM和MM尾纤，激活坐和陶瓷衬底

 

最大额定值

                 GAV30           GAV40           GAV100          单位

储存温度        -40到85          -40到85         -40到85            °C

工作温度        -10到60          -10到60         -10到60            °C

反向电流          0.2               0.4                1.0             mA

正向电流          20                80               100              mA