KST公司利用独有的生长工艺，能够制备氧化层厚达20um的SOI（Silicon on Insulator）晶圆。除了常规的SOI晶圆之外，KST还可以根据客户要求制作具有腔体结构的SOI晶圆（Cavity SOI）。


产品规格

尺寸

4inch 6inch 8inch

活性层膜厚度

100nm※～200μm

面内厚度精度

薄膜±15nm　厚膜±0.5μm

BOX层厚度

最大 20μm

 

Thick-BOX® SOI晶圆的使用例

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产品应用

大规模集成电路／功率器件／MEMS器件／硅光集成