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GaN晶体
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产品品牌：
合肥科晶
交货周期：
现货
产品简介：
GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG（因为2-
DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素）。科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化擦晶体和基片。
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