相对于同成分泥酸锂晶体(简写:CLN),SLN由于锂含量的提高(接近50mol%),而大幅降低了晶体中的Li空位(VLi)、反位锯(NbLi)等本征缺陷,晶体的物理性能和光学性能均得到大幅提高,计量比泥酸锂晶体成为全息存储、电光开关、光信息处理、光波导及介电超晶格等众多领域中最具潜力的晶体材料。
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