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MgO:LiNbO3晶片
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产品品牌：
合肥科晶
交货周期：
现货
产品简介：
纯同成份泥酸锂晶体最大的缺点是抗激光损伤阅值很低，这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后，所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阅值提高1-2个数量级，极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm，紫外吸收边紫移至310mm，OH-吸收峰红移至3535cm-1，这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。
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