型号OTF-1200X-S-HPCVD产品概述景高工作温烹为1200℃C。逼理,例如混台物理化学积地你在炉管内移动(靠步进电机控制)的小型开式管式户。炉普外径为50mm设字控制器控制样品台或坩在炉管内的位置和温度。此设备可进行快速热处 ),快速热蒸发(RTE),以及在各种气氛下进行的水平布里奇曼最体生长HDC),用于新代晶体研究。
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