这款III族氮化物分子束外延系统专业为A3N材料生长设计的MBE设备,适合氨气高温下制备生长A3N半导体材料,提供非常广泛的可用生长参数(有效氮通量、衬底温度、生长过程中的真空度)。III族氮化物分子束外延系统设计在衬底上提供极高的温度(>1200℃)以及在长生长周期中加热阶段的可靠工作。利用氨作为活性氮源,可以生长出高质量、厚的AlN/AlGaN缓冲层。这项技术的结果是生长出位错密度极低的活性层
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